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MJB42CT4G中文资料

MJB42CT4G图片

MJB42CT4G外观图

  • 大小:84.7KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: POWER TRANSISTOR, PNP, -100V D2-PAK; Transistor Polarity:NPN & PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency Typ ft:3MHz; Power Dissipation Pd:65W; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
  • 标准包装:800
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):6A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1.5V @ 600mA,6A
  • 电流 - 集电极截止(最大):700µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):15 @ 3A,4V
  • 功率 - 最大:2W
  • 频率 - 转换:3MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装:D2PAK
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:MJB42CT4GOSMJB42CT4GOS-NDMJB42CT4GOSTR

MJB42CT4G供应商

更新时间:2022-12-30 19:47:25
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